NVD5807NT4G-VF01

NVD5807NT4G-VF01

производител

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Not For New Designs
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    23A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    31mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    20 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    603 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    33W (Tj)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    DPAK (SINGLE GAUGE)
  • пакет/калъф
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVD5807NT4G-VF01 Поискайте оферта

В наличност 30842
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.67000
Целева цена:
Обща сума:0.67000