NTR3A30PZT1G

NTR3A30PZT1G

производител

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    3A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    1.8V, 4.5V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    38mOhm @ 3A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    17.6 nC @ 4.5 V
  • vgs (макс.)
    ±8V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1651 pF @ 15 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    480mW (Ta)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    SOT-23-3 (TO-236)
  • пакет/калъф
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTR3A30PZT1G Поискайте оферта

В наличност 33184
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.62000
Целева цена:
Обща сума:0.62000

Лист с данни