NTMFS5H419NLT1G

NTMFS5H419NLT1G

производител

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    29A (Ta), 155A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    2.1mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    45 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    2900 pF @ 20 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    3.1W (Ta), 89W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN, 5 Leads

NTMFS5H419NLT1G Поискайте оферта

В наличност 12934
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.65000
Целева цена:
Обща сума:1.65000