NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

производител

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    60V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    295mA
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    0.9nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    26pF @ 20V
  • мощност - макс
    250mW
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • пакет устройство на доставчика
    SC-88/SC70-6/SOT-363

NTJD5121NT1G Поискайте оферта

В наличност 34218
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.30000
Целева цена:
Обща сума:0.30000

Лист с данни