FDMD8560L

FDMD8560L

производител

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER

Спецификации

  • серия
    PowerTrench®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet функция
    Standard
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    60V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    22A, 93A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    3.2mOhm @ 22A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    128nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    11130pF @ 30V
  • мощност - макс
    2.2W
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-PowerWDFN
  • пакет устройство на доставчика
    8-Power 5x6

FDMD8560L Поискайте оферта

В наличност 8563
Количество:
Единична цена (референтна цена):
3.87000
Целева цена:
Обща сума:3.87000

Лист с данни