FDC645N

FDC645N

производител

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

Спецификации

  • серия
    PowerTrench®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    5.5A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    26mOhm @ 6.2A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    21 nC @ 4.5 V
  • vgs (макс.)
    ±12V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1460 pF @ 15 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    1.6W (Ta)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    SuperSOT™-6
  • пакет/калъф
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDC645N Поискайте оферта

В наличност 32050
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.64000
Целева цена:
Обща сума:0.64000

Лист с данни