Спецификации

• серия
  -
• пакет
  Tube
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  700 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  25A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс.) @ id
  -
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  -
• vgs (макс.)
  -
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  -
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  -
• Работна температура
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  D3Pak
• пакет/калъф
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA