ISS55EP06LMXTSA1

ISS55EP06LMXTSA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    60 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    180mA (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    5.5Ohm @ 180mA, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 11µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    590 pC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    18 pF @ 30 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    400mW (Ta)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-SOT23-3-5
  • пакет/калъф
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ISS55EP06LMXTSA1 Поискайте оферта

В наличност 30316
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.34000
Целева цена:
Обща сума:0.34000