IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

Спецификации

  • серия
    HEXFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Not For New Designs
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    9.7A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.35V @ 25µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    9nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    760pF @ 15V
  • мощност - макс
    2W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет устройство на доставчика
    8-SO

IRF8313TRPBF Поискайте оферта

В наличност 29008
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.71000
Целева цена:
Обща сума:0.71000

Лист с данни