IPW65R110CFDAFKSA1

IPW65R110CFDAFKSA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    650 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    31.2A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    110mOhm @ 12.7A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.5V @ 1.3mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    118 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    3240 pF @ 100 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    277.8W (Tc)
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO247-3
  • пакет/калъф
    TO-247-3

IPW65R110CFDAFKSA1 Поискайте оферта

В наличност 7263
Количество:
Единична цена (референтна цена):
7.93000
Целева цена:
Обща сума:7.93000

Лист с данни