IPU80R1K4P7AKMA1

IPU80R1K4P7AKMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3

Спецификации

  • серия
    CoolMOS™
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    800 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    4A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    1.4Ohm @ 1.4A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 700µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    10.05 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    250 pF @ 500 V
  • fet функция
    Super Junction
  • разсейване на мощност (макс.)
    32W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO251-3
  • пакет/калъф
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPU80R1K4P7AKMA1 Поискайте оферта

В наличност 20189
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.04000
Целева цена:
Обща сума:1.04000

Лист с данни