IPT60R080G7XTMA1

IPT60R080G7XTMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF

Спецификации

  • серия
    CoolMOS™ G7
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    650 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    29A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    80mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 490µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    42 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1640 pF @ 400 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    167W (Tc)
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-HSOF-8-2
  • пакет/калъф
    8-PowerSFN

IPT60R080G7XTMA1 Поискайте оферта

В наличност 8195
Количество:
Единична цена (референтна цена):
6.86000
Целева цена:
Обща сума:6.86000

Лист с данни