IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3

Спецификации

  • серия
    CoolMOS™ P7
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    700 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    3A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    2Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 30µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    3.8 nC @ 400 V
  • vgs (макс.)
    ±16V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    130 pF @ 400 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    17.6W (Tc)
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO251-3-347
  • пакет/калъф
    TO-251-3 Stub Leads, IPak

IPSA70R2K0P7SAKMA1 Поискайте оферта

В наличност 31706
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.65000
Целева цена:
Обща сума:0.65000

Лист с данни