IPP65R190C6XKSA1

IPP65R190C6XKSA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3

Спецификации

  • серия
    CoolMOS™
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Not For New Designs
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    650 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    20.2A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    190mOhm @ 7.3A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 730µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    73 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1620 pF @ 100 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    151W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO220-3
  • пакет/калъф
    TO-220-3

IPP65R190C6XKSA1 Поискайте оферта

В наличност 15267
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.09036
Целева цена:
Обща сума:2.09036

Лист с данни