IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    100V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    20A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    35mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.1V @ 16µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    17.4nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1105pF @ 25V
  • мощност - макс
    43W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount, Wettable Flank
  • пакет/калъф
    8-PowerVDFN
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TDSON-8-10

IPG20N10S4L35AATMA1 Поискайте оферта

В наличност 30714
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.66868
Целева цена:
Обща сума:0.66868

Лист с данни