IPG20N06S4L11ATMA1

IPG20N06S4L11ATMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    60V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    20A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    11.2mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.2V @ 28µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    53nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    4020pF @ 25V
  • мощност - макс
    65W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-PowerVDFN
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TDSON-8-4

IPG20N06S4L11ATMA1 Поискайте оферта

В наличност 15867
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.01000
Целева цена:
Обща сума:2.01000

Лист с данни