IPB60R055CFD7ATMA1

IPB60R055CFD7ATMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2

Спецификации

  • серия
    CoolMOS™ CFD7
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    650 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    38A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    55mOhm @ 18A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.5V @ 900µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    79 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    3194 pF @ 400 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    178W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO263-3-2
  • пакет/калъф
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB60R055CFD7ATMA1 Поискайте оферта

В наличност 8079
Количество:
Единична цена (референтна цена):
7.04000
Целева цена:
Обща сума:7.04000