IPAN70R900P7SXKSA1

IPAN70R900P7SXKSA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 700V 6A TO220

Спецификации

  • серия
    CoolMOS™ P7
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    700 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    6A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    900mOhm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 60µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    6.8 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±16V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    211 pF @ 400 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    17.9W (Tc)
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO220 Full Pack
  • пакет/калъф
    TO-220-3 Full Pack

IPAN70R900P7SXKSA1 Поискайте оферта

В наличност 19487
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.08000
Целева цена:
Обща сума:1.08000

Лист с данни