FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - igbts - модули

Описание

IGBT MODULE 1200V 1050W

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • конфигурация
    Single Chopper
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1200 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    -
  • мощност - макс
    1050 W
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    5 mA
  • входен капацитет (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • вход
    Standard
  • ntc термистор
    No
  • Работна температура
    -40°C ~ 125°C
  • тип монтаж
    Chassis Mount
  • пакет/калъф
    Module
  • пакет устройство на доставчика
    Module

FD200R12KE3HOSA1 Поискайте оферта

В наличност 1417
Количество:
Единична цена (референтна цена):
111.91000
Целева цена:
Обща сума:111.91000

Лист с данни