Спецификации

• серия
  CoolSiC™+
• пакет
  Tray
• състояние на част
  Active
• фет тип
  2 N-Channel (Dual)
• fet функция
  Silicon Carbide (SiC)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  1200V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  25A (Tj)
• rds на (макс.) @ id, vgs
  45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
• vgs(th) (макс.) @ id
  5.55V @ 10mA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  62nC @ 15V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  1840pF @ 800V
• мощност - макс
  20mW
• Работна температура
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Chassis Mount
• пакет/калъф
  Module
• пакет устройство на доставчика
  AG-EASY1BM-2