DF200R12W1H3B27BOMA1

DF200R12W1H3B27BOMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - igbts - модули

Описание

IGBT MOD 1200V 30A 375W

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    -
  • конфигурация
    2 Independent
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1200 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    30 A
  • мощност - макс
    375 W
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    1.3V @ 15V, 30A
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    1 mA
  • входен капацитет (cies) @ vce
    2 nF @ 25 V
  • вход
    Standard
  • ntc термистор
    Yes
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C
  • тип монтаж
    Chassis Mount
  • пакет/калъф
    Module
  • пакет устройство на доставчика
    Module

DF200R12W1H3B27BOMA1 Поискайте оферта

В наличност 1793
Количество:
Единична цена (референтна цена):
54.61750
Целева цена:
Обща сума:54.61750

Лист с данни