BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

DIFFERENTIATED MOSFETS

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    9.5A (Ta), 25A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    5.6nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    800pF @ 15V
  • мощност - макс
    1.9W (Ta), 31W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-PowerVDFN
  • пакет устройство на доставчика
    PG-WISON-8

BSZ0910NDXTMA1 Поискайте оферта

В наличност 15666
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.35000
Целева цена:
Обща сума:1.35000

Лист с данни