BSC077N12NS3GATMA1

BSC077N12NS3GATMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    120 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    13.4A (Ta), 98A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    7.7mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 110µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    88 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    5700 pF @ 60 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    139W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TDSON-8-1
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN

BSC077N12NS3GATMA1 Поискайте оферта

В наличност 11251
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.90000
Целева цена:
Обща сума:2.90000

Лист с данни