Спецификации

• серия
  Z-FET™
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Active
• фет тип
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet функция
  Silicon Carbide (SiC)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  423A (Tc)
• rds на (макс.) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  1025nC @ 20V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  11700pF @ 600V
• мощност - макс
  1660W
• Работна температура
  150°C (TJ)
• тип монтаж
  Chassis Mount
• пакет/калъф
  Module, Screw Terminals
• пакет устройство на доставчика
  Module