Спецификации

• серия
  C3M™
• пакет
  Tube
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  1200 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  7.2A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  15V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  455mOhm @ 3.6A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3.6V @ 1mA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  13 nC @ 15 V
• vgs (макс.)
  +15V, -4V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  345 pF @ 1000 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  40.8W (Tc)
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  TO-263-7
• пакет/калъф
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA