SQM100N04-2M7_GE3

SQM100N04-2M7_GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    100A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    2.7mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    145 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    7910 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    157W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    TO-263 (D²Pak)
  • пакет/калъф
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQM100N04-2M7_GE3 Поискайте оферта

В наличност 14235
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.50150
Целева цена:
Обща сума:1.50150

Лист с данни