SQJ464EP-T2_GE3

SQJ464EP-T2_GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    60 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    32A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    17mOhm @ 7.1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    44 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    2086 pF @ 30 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    45W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® SO-8
  • пакет/калъф
    PowerPAK® SO-8

SQJ464EP-T2_GE3 Поискайте оферта

В наличност 28342
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.36366
Целева цена:
Обща сума:0.36366