-
-
Ниска цена чрез Factory-Direct
Работете директно с фабриката за електроника, за да премахнете посредника. Нови оригинални на ниска и намалена цена
-
Безопасност и качество Надеждност
Система за осигуряване на качество за превъзходно качество на продукта. Навреме, всеки път предоставяне на качествени компоненти.
-
Над 15 милиона запаси
100+ най-известни световни производители, над 15 милиона наличности. Налични запаси, които поддържат директно закупуване с отстъпка.
-
Удобни за клиентите услуги
Решение на едно място, персонализирано според вашите уникални изисквания. Поддръжка на уебсайт на 12 езика, повече удобство и бързи услуги.
SI7980DP-T1-GE3
производител
категория на продукта
транзистори - фетове, мосфети - масиви
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Имейл за RFQ: [email protected] or Запитвания онлайн
Спецификации
-
серияTrenchFET®
-
пакетTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
състояние на частObsolete
-
фет тип2 N-Channel (Half Bridge)
-
fet функцияStandard
-
напрежение от източване към източник (vdss)20V
-
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c8A
-
rds на (макс.) @ id, vgs22mOhm @ 5A, 10V
-
vgs(th) (макс.) @ id2.5V @ 250µA
-
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs27nC @ 10V
-
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds1010pF @ 10V
-
мощност - макс19.8W, 21.9W
-
Работна температура-55°C ~ 150°C (TJ)
-
тип монтажSurface Mount
-
пакет/калъфPowerPAK® SO-8 Dual
-
пакет устройство на доставчикаPowerPAK® SO-8 Dual
