-
-
Ниска цена чрез Factory-Direct
Работете директно с фабриката за електроника, за да премахнете посредника. Нови оригинални на ниска и намалена цена
-
Безопасност и качество Надеждност
Система за осигуряване на качество за превъзходно качество на продукта. Навреме, всеки път предоставяне на качествени компоненти.
-
Над 15 милиона запаси
100+ най-известни световни производители, над 15 милиона наличности. Налични запаси, които поддържат директно закупуване с отстъпка.
-
Удобни за клиентите услуги
Решение на едно място, персонализирано според вашите уникални изисквания. Поддръжка на уебсайт на 12 езика, повече удобство и бързи услуги.
TPD3215M
производител
категория на продукта
транзистори - фетове, мосфети - масиви
Описание
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Имейл за RFQ: [email protected] or Запитвания онлайн
Спецификации
-
серия-
-
пакетBulk
-
състояние на частObsolete
-
фет тип2 N-Channel (Half Bridge)
-
fet функцияGaNFET (Gallium Nitride)
-
напрежение от източване към източник (vdss)600V
-
ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c70A (Tc)
-
rds на (макс.) @ id, vgs34mOhm @ 30A, 8V
-
vgs(th) (макс.) @ id-
-
заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs28nC @ 8V
-
входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds2260pF @ 100V
-
мощност - макс470W
-
Работна температура-40°C ~ 150°C (TJ)
-
тип монтажThrough Hole
-
пакет/калъфModule
-
пакет устройство на доставчикаModule
