TK290P65Y,RQ

TK290P65Y,RQ

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK

Спецификации

  • серия
    DTMOSV
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    650 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    11.5A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    290mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 450µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    730 pF @ 300 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    100W (Tc)
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    DPAK
  • пакет/калъф
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK290P65Y,RQ Поискайте оферта

В наличност 11597
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.86000
Целева цена:
Обща сума:1.86000

Лист с данни