TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Спецификации

  • серия
    U-MOSVIII-H
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    100A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    2.3mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 500µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    76 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    5490 pF @ 10 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    100W (Tc)
  • Работна температура
    175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    DPAK+
  • пакет/калъф
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK100S04N1L,LQ Поискайте оферта

В наличност 12118
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.67000
Целева цена:
Обща сума:2.67000

Лист с данни