MT3S111TU,LF

MT3S111TU,LF

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - биполярни (bjt) - rf

Описание

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • тип транзистор
    NPN
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    6V
  • честота - преход
    10GHz
  • шумова фигура (db typ @ f)
    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • печалба
    12.5dB
  • мощност - макс
    800mW
  • усилване на постоянен ток (hfe) (мин) @ ic, vce
    200 @ 30mA, 5V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    100mA
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    3-SMD, Flat Lead
  • пакет устройство на доставчика
    UFM

MT3S111TU,LF Поискайте оферта

В наличност 35386
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.58000
Целева цена:
Обща сума:0.58000