TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

производител

Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

категория на продукта

памет

Описание

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

Спецификации

  • серия
    Benand™
  • пакет
    Tray
  • състояние на част
    Active
  • тип памет
    Non-Volatile
  • формат на паметта
    FLASH
  • технология
    FLASH - NAND (SLC)
  • размер на паметта
    4Gb (512M x 8)
  • интерфейс на паметта
    Parallel
  • тактова честота
    -
  • време на цикъл на писане - дума, страница
    25ns
  • време за достъп
    25 ns
  • напрежение - захранване
    1.7V ~ 1.95V
  • Работна температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    67-VFBGA
  • пакет устройство на доставчика
    67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG2S0HBAI6 Поискайте оферта

В наличност 7175
Количество:
Единична цена (референтна цена):
4.74000
Целева цена:
Обща сума:4.74000

Лист с данни