Спецификации

• серия
  NexFET™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• състояние на част
  Active
• фет тип
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  20 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  20A (Ta)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  1.8V, 4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  23.9mOhm @ 5A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1.1V @ 250µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  4.7 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±8V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  655 pF @ 10 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  2.9W (Ta)
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  6-WSON (2x2)
• пакет/калъф
  6-WDFN Exposed Pad