STGYA120M65DF2

STGYA120M65DF2

производител

STMicroelectronics

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

Спецификации

  • серия
    M
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    NPT, Trench Field Stop
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    650 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    160 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    360 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 120A
  • мощност - макс
    625 W
  • превключваща енергия
    1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    420 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    66ns/185ns
  • тестово състояние
    400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    202 ns
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет/калъф
    TO-247-3 Exposed Pad
  • пакет устройство на доставчика
    MAX247™

STGYA120M65DF2 Поискайте оферта

В наличност 5181
Количество:
Единична цена (референтна цена):
11.69000
Целева цена:
Обща сума:11.69000

Лист с данни