PD20010-E

PD20010-E

производител

STMicroelectronics

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - rf

Описание

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • тип транзистор
    LDMOS
  • честота
    2GHz
  • печалба
    11dB
  • напрежение - тест
    13.6 V
  • номинален ток (ампери)
    5A
  • шумова фигура
    -
  • ток - тест
    150 mA
  • изходна мощност
    10W
  • напрежение - номинално
    40 V
  • пакет/калъф
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
  • пакет устройство на доставчика
    PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E Поискайте оферта

В наличност 4175
Количество:
Единична цена (референтна цена):
15.54000
Целева цена:
Обща сума:15.54000

Лист с данни