HP8S36TB

HP8S36TB

производител

ROHM Semiconductor

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet функция
    -
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    27A, 80A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    2.4mOhm @ 32A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 1mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    47nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    6100pF @ 15V
  • мощност - макс
    29W
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN
  • пакет устройство на доставчика
    8-HSOP

HP8S36TB Поискайте оферта

В наличност 13969
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.52000
Целева цена:
Обща сума:1.52000

Лист с данни