EMB10T2R

EMB10T2R

производител

ROHM Semiconductor

категория на продукта

транзистори - биполярни (bjt) - матрици, предварително настроени

Описание

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • състояние на част
    Active
  • тип транзистор
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    100mA
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    50V
  • резистор - база (r1)
    2.2kOhms
  • резистор - емитерна база (r2)
    47kOhms
  • усилване на постоянен ток (hfe) (мин) @ ic, vce
    80 @ 10mA, 5V
  • vce насищане (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    500nA
  • честота - преход
    250MHz
  • мощност - макс
    150mW
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    SOT-563, SOT-666
  • пакет устройство на доставчика
    EMT6

EMB10T2R Поискайте оферта

В наличност 95387
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.10574
Целева цена:
Обща сума:0.10574

Лист с данни