Спецификации

• серия
  -
• пакет
  Tray
• състояние на част
  Active
• фет тип
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet функция
  Silicon Carbide (SiC)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  300A (Tc)
• rds на (макс.) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 68mA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  -
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  35000pF @ 10V
• мощност - макс
  1875W
• Работна температура
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Chassis Mount
• пакет/калъф
  Module
• пакет устройство на доставчика
  Module