NUS5530MNR2G

NUS5530MNR2G

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - специално предназначение

Описание

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип транзистор
    NPN, P-Channel
  • приложения
    General Purpose
  • напрежение - номинално
    35V PNP, 20V P-Channel
  • номинален ток (ампери)
    2A PNP, 3.9A P-Channel
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-VDFN Exposed Pad
  • пакет устройство на доставчика
    8-DFN-EP (3.3x3.3)

NUS5530MNR2G Поискайте оферта

В наличност 38019
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.54000
Целева цена:
Обща сума:0.54000

Лист с данни