NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    -
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    600 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    20 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    40 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 10A
  • мощност - макс
    72 W
  • превключваща енергия
    412µJ (on), 140µJ (off)
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    53 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    48ns/120ns
  • тестово състояние
    300V, 10A, 30Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    90 ns
  • Работна температура
    175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • пакет устройство на доставчика
    DPAK

NGTB10N60R2DT4G Поискайте оферта

В наличност 35335
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.58000
Целева цена:
Обща сума:0.58000

Лист с данни