NGB8207BNT4G

NGB8207BNT4G

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Obsolete
  • тип igbt
    -
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    365 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    20 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    50 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.6V @ 4V, 20A
  • мощност - макс
    165 W
  • превключваща енергия
    -
  • тип вход
    Logic
  • заряд на вратата
    -
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    -
  • тестово състояние
    -
  • време за обратно възстановяване (trr)
    -
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • пакет устройство на доставчика
    D2PAK

NGB8207BNT4G Поискайте оферта

В наличност 33216
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.62000
Целева цена:
Обща сума:0.62000

Лист с данни