-
-
Ниска цена чрез Factory-Direct
Работете директно с фабриката за електроника, за да премахнете посредника. Нови оригинални на ниска и намалена цена
-
Безопасност и качество Надеждност
Система за осигуряване на качество за превъзходно качество на продукта. Навреме, всеки път предоставяне на качествени компоненти.
-
Над 15 милиона запаси
100+ най-известни световни производители, над 15 милиона наличности. Налични запаси, които поддържат директно закупуване с отстъпка.
-
Удобни за клиентите услуги
Решение на едно място, персонализирано според вашите уникални изисквания. Поддръжка на уебсайт на 12 езика, повече удобство и бързи услуги.
MIC4123YME
производител
категория на продукта
Описание
DUAL 3A-PEAK LOW-SIDE MOSFET DRI
Имейл за RFQ: [email protected] or Запитвания онлайн
Спецификации
-
серия-
-
пакетBulk
-
състояние на частActive
-
управлявана конфигурацияLow-Side
-
тип каналIndependent
-
брой шофьори2
-
тип портаN-Channel, P-Channel MOSFET
-
напрежение - захранване4.5V ~ 20V
-
логическо напрежение - vil, vih0.8V, 2.4V
-
ток - пиков изход (източник, приемник)3A, 3A
-
тип входInverting
-
високо странично напрежение - макс (bootstrap)-
-
време на нарастване / спад (тип.)11ns, 11ns
-
Работна температура-40°C ~ 125°C (TJ)
-
тип монтажSurface Mount
-
пакет/калъф8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
-
пакет устройство на доставчика8-SOIC
