HUF75852G3

HUF75852G3

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Спецификации

  • серия
    UltraFET™
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    150 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    75A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    16mOhm @ 75A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    480 nC @ 20 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    7.69 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    500W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    TO-247-3
  • пакет/калъф
    TO-247-3

HUF75852G3 Поискайте оферта

В наличност 9804
Количество:
Единична цена (референтна цена):
5.67000
Целева цена:
Обща сума:5.67000

Лист с данни