FS75R12KT4B11BOSA1

FS75R12KT4B11BOSA1

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - igbts - модули

Описание

FS75R12 - IGBT MODULE

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • конфигурация
    Three Phase Inverter
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1.2 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    75 A
  • мощност - макс
    385 W
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 75A
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    1 mA
  • входен капацитет (cies) @ vce
    4.3 nF @ 25 V
  • вход
    Standard
  • ntc термистор
    Yes
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C
  • тип монтаж
    Chassis Mount
  • пакет/калъф
    Module
  • пакет устройство на доставчика
    Module

FS75R12KT4B11BOSA1 Поискайте оферта

В наличност 1425
Количество:
Единична цена (референтна цена):
88.18000
Целева цена:
Обща сума:88.18000

Лист с данни