FF200R12KT3EHOSA1

FF200R12KT3EHOSA1

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - igbts - модули

Описание

FF200R12 - IGBT MODULE

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    -
  • конфигурация
    2 Independent
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1.2 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    -
  • мощност - макс
    1.05 W
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    5 mA
  • входен капацитет (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • вход
    Standard
  • ntc термистор
    No
  • Работна температура
    -40°C ~ 125°C
  • тип монтаж
    Chassis Mount
  • пакет/калъф
    Module
  • пакет устройство на доставчика
    Module

FF200R12KT3EHOSA1 Поискайте оферта

В наличност 1452
Количество:
Единична цена (референтна цена):
94.04000
Целева цена:
Обща сума:94.04000

Лист с данни