Спецификации

• серия
  NexFET™
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  25 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.1V @ 250µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  +16V, -12V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  3.1W (Ta)
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  8-VSON-CLIP (5x6)
• пакет/калъф
  8-PowerTDFN