BSO330N02KG

BSO330N02KG

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

N-CHANNEL POWER MOSFET

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    5.4A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    30mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.2V @ 20µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    4.9nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    730pF @ 10V
  • мощност - макс
    1.4W
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет устройство на доставчика
    PG-DSO-8

BSO330N02KG Поискайте оферта

В наличност 44344
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.23000
Целева цена:
Обща сума:0.23000