Спецификации

• серия
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Active
• фет тип
  2 N-Channel (Dual)
• fet функция
  Logic Level Gate
• напрежение от източване към източник (vdss)
  30V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  5.3A
• rds на (макс.) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.7A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3V @ 100µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  21nC @ 10V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  515pF @ 25V
• мощност - макс
  2.4W
• Работна температура
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет/калъф
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• пакет устройство на доставчика
  8-SO