Спецификации

• серия
  -
• пакет
  Tray
• състояние на част
  Active
• тип диод
  Silicon Carbide Schottky
• напрежение - DC обратно (vr) (макс.)
  1200 V
• ток - среден коригиран (io)
  61A (DC)
• напрежение - напред (vf) (max) @ ако
  1.75 V @ 40 A
• скорост
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• време за обратно възстановяване (trr)
  0 ns
• ток - обратно изтичане @ vr
  200 µA @ 1200 V
• капацитет @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет/калъф
  Die
• пакет устройство на доставчика
  Die
• работна температура - възел
  -55°C ~ 175°C